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1895975S8KC M6G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S8KC M6G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S8KC M6G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S8KC M6G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    985mV @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Andere Namen
    S8KC M6G-ND
    S8KCM6G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    48pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S8KC M6G" -Einziper.
1N4154TAP

1N4154TAP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 25V 150MA DO35

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
ES1FL MTG

ES1FL MTG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 300V 1A SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
VS-1N3214R

VS-1N3214R

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 15A DO203AB

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
SSL34 R7G

SSL34 R7G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAS116LP3-7

BAS116LP3-7

Beschreibung: DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SIDC20D60C6

SIDC20D60C6

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 75A WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BYG10JHE3/TR3

BYG10JHE3/TR3

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S8KCHR7G

S8KCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BYG21KHM3/TR3

BYG21KHM3/TR3

Beschreibung: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
S8KC V7G

S8KC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SK28-TP

SK28-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 80V 2A DO214AA

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
S8KC R7G

S8KC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
S8KC V6G

S8KC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SF16GHA0G

SF16GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S8KC-13

S8KC-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
1N276 BK

1N276 BK

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 40MA DO7

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
S8KCHM6G

S8KCHM6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBR120ESFT3

MBR120ESFT3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD123L

Hersteller: ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
VS-10ETS12PBF

VS-10ETS12PBF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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