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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > S8KCHM6G
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449689S8KCHM6G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

S8KCHM6G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    S8KCHM6G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    S8KCHM6G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    985mV @ 8A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AB (SMC)
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AB, SMC
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    40 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    8A
  • Kapazität @ Vr, F
    48pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "S8KCHM6G" -Einziper.
BYW27-200GP-E3/73

BYW27-200GP-E3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
PMEG6010EP/6X

PMEG6010EP/6X

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A CFP5

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
A330P

A330P

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1200A DO200

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
APT30D40BG

APT30D40BG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 30A TO247

Hersteller: Microsemi Corporation
vorrätig
RFQ
V10PN50-M3/87A

V10PN50-M3/87A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 5.3A TO277A

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RSFML RVG

RSFML RVG

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 500MA SUB SMA

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
RU 1CV

RU 1CV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 200MA AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
S8KC V6G

S8KC V6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SE15PD-E3/85A

SE15PD-E3/85A

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO220AA

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SR220HR0G

SR220HR0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 2A DO204AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
BAT760,115

BAT760,115

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 1A SOD323

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
HSM360G/TR13

HSM360G/TR13

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO215AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
S8KCHR7G

S8KCHR7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S8KC V7G

S8KC V7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
TSSW3U45 RVG

TSSW3U45 RVG

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 3A SOD123W

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
S8KC-13

S8KC-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A SMC

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
S8KC R7G

S8KC R7G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SS1H10HE3/5AT

SS1H10HE3/5AT

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
S8KC M6G

S8KC M6G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 8A DO214AB

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
1N4458

1N4458

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 15A DO203AA

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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