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5359701TPUH6D S1G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

TPUH6D S1G

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7500+
$0.208
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$0.193
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TPUH6D S1G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TPUH6D S1G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.05V @ 6A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-277A (SMPC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    45ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-277, 3-PowerDFN
  • Andere Namen
    TPUH6D S1GTR
    TPUH6D S1GTR-ND
    TPUH6DS1GTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    7 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 6A Surface Mount TO-277A (SMPC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

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Das Folgende sind "TPUH6D S1G" -Einziper.
RGP10DHE3/54

RGP10DHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RGL41B-E3/97

RGL41B-E3/97

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MBRS3201T3G

MBRS3201T3G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 200V 3A SMC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SE10DDHM3/I

SE10DDHM3/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A TO263AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RB058L-60TE25

RB058L-60TE25

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N5553US

1N5553US

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 3A B-MELF

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
BYW27-400GPHE3/54

BYW27-400GPHE3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MBR20150

MBR20150

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V TO220AC

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
RGL34B-E3/98

RGL34B-E3/98

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
VB20150S-E3/8W

VB20150S-E3/8W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 150V 20A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TSP12U120S S1G

TSP12U120S S1G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SDURB1520TR

SDURB1520TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
LL101B-7

LL101B-7

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 30MA SOD80

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SF34GHB0G

SF34GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
TPUH6J S1G

TPUH6J S1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
SB340TA

SB340TA

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V DO-201AD

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
PMEG6030ELPX

PMEG6030ELPX

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SOD128

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
DL4003-13

DL4003-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A MELF

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
PMEG3002AEL,315

PMEG3002AEL,315

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD882

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
MBRH20040R

MBRH20040R

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 200A D-67

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
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