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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > TPUH6J S1G
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1853145TPUH6J S1G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

TPUH6J S1G

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3000+
$0.231
7500+
$0.216
10500+
$0.201
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    TPUH6J S1G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TPUH6J S1G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    3V @ 6A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    600V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-277A (SMPC)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    45ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-277, 3-PowerDFN
  • Andere Namen
    TPUH6J S1GTR
    TPUH6J S1GTR-ND
    TPUH6JS1GTR
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 600V 6A Surface Mount TO-277A (SMPC)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 600V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    50pF @ 4V, 1MHz

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Zahlung
Das Folgende sind "TPUH6J S1G" -Einziper.
CMPD2004 TR

CMPD2004 TR

Beschreibung: DIODE GEN PURP 240V 200MA SOT23

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
UF4001-M3/73

UF4001-M3/73

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
R7200206XXOO

R7200206XXOO

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 600A DO200AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
ACURN105-HF

ACURN105-HF

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A 1206

Hersteller: Comchip Technology
vorrätig
RFQ
TPUH6D S1G

TPUH6D S1G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBRX160-TP

MBRX160-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 1A SOD123

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
MPG06M-E3/54

MPG06M-E3/54

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A MPG06

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
MBR2080FCTE3/TU

MBR2080FCTE3/TU

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20A 80V ITO220AB

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
VS-20TQ045STRLPBF

VS-20TQ045STRLPBF

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 20A D2PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UF3002-T

UF3002-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
FR70GR05

FR70GR05

Beschreibung: DIODE GEN PURP REV 400V 70A DO5

Hersteller: GeneSiC Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBRB1645HE3/81

MBRB1645HE3/81

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
RB520S30

RB520S30

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD523F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SR503HR0G

SR503HR0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBRD1045T4G

MBRD1045T4G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 10A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
1N4933GL-T

1N4933GL-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO41

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
B260AQ-13-F

B260AQ-13-F

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 2A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
ISL9R860P2

ISL9R860P2

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MBRB16H60HE3/45

MBRB16H60HE3/45

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 16A TO263AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BAS386-TR3

BAS386-TR3

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 200MA MICMELF

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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