TSM130NB06LCR RLG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM130NB06LCR RLG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Bleifreier Status / RoHS Status
Datenblätte

TSM130NB06LCR RLG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

8-PDFN (5x6)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

13 mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (max)

3.1W (Ta), 83W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

8-PowerLDFN
Andere Namen

TSM130NB06LCRRLGTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2175pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 60V 10A (Ta), 51A (Tc) 3.1W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

10A (Ta), 51A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM130NB06LCR RLG" -Einziper.

TSM150NB04LCR RLG

Beschreibung: MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

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