TSM1NB60CW RPG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM1NB60CW RPG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM1NB60CW RPG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-223
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (max)

39W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-261-4, TO-261AA
Andere Namen

TSM1NB60CW RPGTR
TSM1NB60CW RPGTR-ND
TSM1NB60CWRPGTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

30 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

138pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 1A (Tc) 39W (Tc) Surface Mount SOT-223
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

1A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM1NB60CW RPG" -Einziper.

TSM1N80CW RPG

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 300MA SOT223

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM1NB60CW RPG

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