TSM2311CX RFG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM2311CX RFG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM2311CX RFG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 4A, 4.5V
Verlustleistung (max)

900mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

TSM2311CX RFGTR
TSM2311CX RFGTR-ND
TSM2311CXRFGTR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 6V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 4.5V
Typ FET

P-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

P-Channel 20V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

4A (Ta)

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Das Folgende sind "TSM2311CX RFG" -Einziper.

TSM2305CX RFG

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM2311CX RFG

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