TSM60NB190CI C0G

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM60NB190CI C0G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 18A ITO220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM60NB190CI C0G.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

ITO-220
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (max)

33.8W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Andere Namen

TSM60NB190CI C0G-ND
TSM60NB190CIC0G
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

24 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1273pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 18A (Tc) 33.8W (Tc) Through Hole ITO-220
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

18A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM60NB190CI C0G" -Einziper.

TSM60NB260CI C0G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 13A ITO220

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM60NB190CI C0G

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