TSM680P06DPQ56 RLG

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Spezifikation

Artikelnummer

TSM680P06DPQ56 RLG
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TSM680P06DPQ56 RLG.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Supplier Device-Gehäuse

8-PDFN (5x6)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

68 mOhm @ 6A, 10V
Leistung - max

3.5W
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

8-PowerTDFN
Andere Namen

TSM680P06DPQ56 RLGDKR
TSM680P06DPQ56 RLGDKR-ND
TSM680P06DPQ56RLGDKR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16.4nC @ 10V
Typ FET

2 P-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 12A (Tc) 3.5W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

12A (Tc)

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Das Folgende sind "TSM680P06DPQ56 RLG" -Einziper.

TSM6866SDCA RVG

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 20V 6A 8TSSOP

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)

vorrätig

TSM680P06DPQ56 RLG

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