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4555747UG54G A0G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

UG54G A0G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UG54G A0G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    UG54G A0G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.05V @ 5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-201AD
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    20ns
  • Verpackung
    Tape & Box (TB)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-201AD, Axial
  • Andere Namen
    UG54G A0G-ND
    UG54GA0G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 175°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 200V 5A Through Hole DO-201AD
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io)
    5A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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Das Folgende sind "UG54G A0G" -Einziper.
UG58GHA0G

UG58GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG54GHR0G

UG54GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG54GHA0G

UG54GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG58G B0G

UG58G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG56G R0G

UG56G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG5J C0G

UG5J C0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG56G A0G

UG56G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG56GHB0G

UG56GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG58GHR0G

UG58GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG54G B0G

UG54G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG56G B0G

UG56G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG56GHA0G

UG56GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG54GHB0G

UG54GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG58G A0G

UG58G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG56GHR0G

UG56GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG5HTHE3/45

UG5HTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UG54G R0G

UG54G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
UG58G R0G

UG58G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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RFQ
UG58GHB0G

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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UG5HT-E3/45

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Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
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