UG58GHB0G

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Spezifikation

Artikelnummer

UG58GHB0G
Hersteller / Marke

Taiwan Semiconductor
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE GEN PURP 600V 5A DO201AD
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

UG58GHB0G.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

2.1V @ 5A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

600V
Supplier Device-Gehäuse

DO-201AD
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

20ns
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

DO-201AD, Axial
Betriebstemperatur - Anschluss

-55°C ~ 150°C
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
detaillierte Beschreibung

Diode Standard 600V 5A Through Hole DO-201AD
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

30µA @ 600V
Strom - Richt (Io)

5A
Kapazität @ Vr, F

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Das Folgende sind "UG58GHB0G" -Einziper.

UG5JTHE3/45

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

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