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1008965US1A R3G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

US1A R3G

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    US1A R3G
  • Hersteller / Marke
    Taiwan Semiconductor
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    US1A R3G.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    50V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    50ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    US1A R3G-ND
    US1AR3G
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 50V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 50V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    15pF @ 4V, 1MHz

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US1A-E3/61T

US1A-E3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
US1883LUA-AAA-000-SP

US1883LUA-AAA-000-SP

Beschreibung: MAGNETIC SWITCH LATCH TO92-3

Hersteller: Melexis
vorrätig
RFQ
US1A-13-F

US1A-13-F

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1A-TP

US1A-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
US1AHE3/61T

US1AHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1881LSE-AAA-000-SP

US1881LSE-AAA-000-SP

Beschreibung: MAGNETIC SWITCH LATCH TSOT23-3

Hersteller: Melexis
vorrätig
RFQ
US1AFA

US1AFA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SOD123FA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
US1881EUA-AAA-000-SP

US1881EUA-AAA-000-SP

Beschreibung: MAGNETIC SWITCH LATCH TO92UA

Hersteller: Melexis
vorrätig
RFQ
US1A-13

US1A-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
US1A-M3/61T

US1A-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1881LSE-AAA-000-RE

US1881LSE-AAA-000-RE

Beschreibung: MAGNETIC SWITCH LATCH TSOT23-3

Hersteller: Melexis
vorrätig
RFQ
US1AHE3/5AT

US1AHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1881EUA-AAA-000-BU

US1881EUA-AAA-000-BU

Beschreibung: MAGNETIC SWITCH LATCH TO92UA

Hersteller: Melexis
vorrätig
RFQ
US1A-M3/5AT

US1A-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
US1A-E3/5AT

US1A-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division
vorrätig
RFQ
US1883LUA-AAA-000-BU

US1883LUA-AAA-000-BU

Beschreibung: MAGNETIC SWITCH LATCH TO92-3

Hersteller: Melexis
vorrätig
RFQ
US1881LUA-AAA-000-SP

US1881LUA-AAA-000-SP

Beschreibung: MAGNETIC SWITCH LATCH TO92UA

Hersteller: Melexis
vorrätig
RFQ
US1881LSO

US1881LSO

Beschreibung: MAGNETIC SWITCH LATCH SOT23

Hersteller: Melexis
vorrätig
RFQ
US1881LUA-AAA-000-BU

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Beschreibung: MAGNETIC SWITCH LATCH TO92UA

Hersteller: Melexis
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US1A M2G

US1A M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
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