Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > US1KHM2G
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6144817US1KHM2G-Bild.TSC (Taiwan Semiconductor)

US1KHM2G

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
15000+
$0.066
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    US1KHM2G
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.7V @ 1A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-214AC (SMA)
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    75ns
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    8 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    5µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    1A
  • Kapazität @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
US1M-E3/61T

US1M-E3/61T

Beschreibung:

Hersteller: VISHAY
vorrätig
US1K-E3/5AT

US1K-E3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1KHE3/61T

US1KHE3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1K-E3/61T

US1K-E3/61T

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1KHE3_A/H

US1KHE3_A/H

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1M-E3/5AT

US1M-E3/5AT

Beschreibung:

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1M R3G

US1M R3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1K-M3/5AT

US1K-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1KHR3G

US1KHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1K-M3/61T

US1K-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1M M2G

US1M M2G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
US1K-TP

US1K-TP

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
US1KSAFS-13

US1KSAFS-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA-FS

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
US1M-M3/61T

US1M-M3/61T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1KHE3_A/I

US1KHE3_A/I

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1KHE3/5AT

US1KHE3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1M-13

US1M-13

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
US1M-13-F

US1M-13-F

Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
US1M-M3/5AT

US1M-M3/5AT

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
US1KFA

US1KFA

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden