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Zuhause > Produkte > Integrierte schaltkreise (ICS) > Memory > TC58NVG0S3HBAI6

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4954827

TC58NVG0S3HBAI6-Bild.

Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG0S3HBAI6

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Spezifikation

Artikelnummer

TC58NVG0S3HBAI6
Hersteller / Marke

Kioxia America, Inc.
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TC58NVG0S3HBAI6.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

25ns
Spannungsversorgung

2.7 V ~ 3.6 V
Technologie

FLASH - NAND (SLC)
Supplier Device-Gehäuse

67-VFBGA (6.5x8)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

67-VFBGA
Andere Namen

TC58NVG0S3HBAI6JDH
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

1Gb (128M x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

FLASH
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
Zugriffszeit

25ns

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Das Folgende sind "TC58NVG0S3HBAI6" -Einziper.

TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58NVG1S3ETAI0

TC58NVG1S3ETAI0

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58NVG2S0FTA00

TC58NVG2S0FTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG2S0HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Beschreibung: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG1S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58NVG0S3HTAI0

TC58NVG0S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

Beschreibung: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58NVG0S3HTA00

TC58NVG0S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Beschreibung: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58NVG1S3HBAI6

TC58NVG1S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Beschreibung: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

vorrätig

TC58NVG1S3ETA00

TC58NVG1S3ETA00

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.

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