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6149007TC58NVG1S3ETAI0-Bild.Toshiba Memory America, Inc.

TC58NVG1S3ETAI0

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TC58NVG1S3ETAI0
  • Hersteller / Marke
    Kioxia America, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TC58NVG1S3ETAI0.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    25ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND (SLC)
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TSOP I
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Andere Namen
    TC58NVG1S3ETAI0B3H
    TC58NVG1S3ETAI0BBH
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    2Gb (256M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 2Gb (256M x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • Zugriffszeit
    25ns

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Das Folgende sind "TC58NVG1S3ETAI0" -Einziper.
TC58NVG0S3HBAI6

TC58NVG0S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG2S0HBAI6

TC58NVG2S0HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Beschreibung: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG2S0HBAI4

TC58NVG2S0HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG0S3HTAI0

TC58NVG0S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG2S0HTA00

TC58NVG2S0HTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG2S0FTA00

TC58NVG2S0FTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG0S3HTA00

TC58NVG0S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG1S3HTAI0

TC58NVG1S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG1S3ETA00

TC58NVG1S3ETA00

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG1S3HTA00

TC58NVG1S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG1S3HBAI6

TC58NVG1S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58CYG1S3HRAIG

TC58CYG1S3HRAIG

Beschreibung: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG1S3HBAI4

TC58NVG1S3HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Beschreibung: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TC58NVG3S0FTA00

TC58NVG3S0FTA00

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TC58NVG2S0HTAI0

TC58NVG2S0HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TC58CYG2S0HRAIG

TC58CYG2S0HRAIG

Beschreibung: 4GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TC58NVG0S3HBAI4

TC58NVG0S3HBAI4

Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 63TFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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