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3524793TH58NVG4S0HTA20-Bild.Toshiba Memory America, Inc.

TH58NVG4S0HTA20

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576+
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TH58NVG4S0HTA20
  • Hersteller / Marke
    Kioxia America, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TH58NVG4S0HTA20.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    25ns
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND (SLC)
  • Supplier Device-Gehäuse
    48-TSOP I
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • Andere Namen
    TH58NVG4S0HTA20YCJ
  • Betriebstemperatur
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    16Gb (2G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 16Gb (2G x 8) Parallel 25ns 48-TSOP I
  • Zugriffszeit
    25ns

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TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG2S3HTAI0

TH58NVG2S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4

Beschreibung: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

Beschreibung: 4G SLC NAND BGA 24NM

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG5S0FTA20

TH58NVG5S0FTA20

Beschreibung: IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG5S0FTAK0

TH58NVG5S0FTAK0

Beschreibung: 32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NYG2S3HBAI4

TH58NYG2S3HBAI4

Beschreibung: 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG4S0FTA20

TH58NVG4S0FTA20

Beschreibung: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6

Beschreibung: 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG2S3HTA00

TH58NVG2S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG4S0HTAK0

TH58NVG4S0HTAK0

Beschreibung: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BVG2S3HTA00

TH58BVG2S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0

Beschreibung: 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH5E106K021A1000

TH5E106K021A1000

Beschreibung: CAP TANT 10UF 21V 10% 2917

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
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TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4

Beschreibung: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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