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TH58NYG2S3HBAI4

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TH58NYG2S3HBAI4
  • Hersteller / Marke
    Kioxia America, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 1.8V
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    25ns
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND (SLC)
  • Supplier Device-Gehäuse
    63-TFBGA (9x11)
  • Serie
    -
  • Verpackung / Gehäuse
    63-VFBGA
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (512M x 8)
  • Speicherschnittstelle
    -
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) 63-TFBGA (9x11)

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Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13
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Das Folgende sind "TH58NYG2S3HBAI4" -Einziper.
TH58NVG5S0FTAK0

TH58NVG5S0FTAK0

Beschreibung: 32GB SLC NAND TSOP 32NM LB I-TEM

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BYG3S0HBAI6

TH58BYG3S0HBAI6

Beschreibung: 8GB SLC NAND 24NM BGA 6.5X8 1.8V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BYG2S3HBAI4

TH58BYG2S3HBAI4

Beschreibung: 4G SLC NAND BGA 24NM

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG5S0FTA20

TH58NVG5S0FTA20

Beschreibung: IC FLASH 32G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BVG2S3HTA00

TH58BVG2S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG2S3HTAI0

TH58NVG2S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH5E106K021A1000

TH5E106K021A1000

Beschreibung: CAP TANT 10UF 21V 10% 2917

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
TH58NVG3S0HTAI0

TH58NVG3S0HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NYG3S0HBAI6

TH58NYG3S0HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BVG2S3HBAI4

TH58BVG2S3HBAI4

Beschreibung: 4GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG4S0FTA20

TH58NVG4S0FTA20

Beschreibung: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG2S3HTA00

TH58NVG2S3HTA00

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BVG2S3HTAI0

TH58BVG2S3HTAI0

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BYG2S3HBAI6

TH58BYG2S3HBAI6

Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG4S0HTAK0

TH58NVG4S0HTAK0

Beschreibung: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG3S0HBAI4

TH58NVG3S0HBAI4

Beschreibung: 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BVG3S0HTAI0

TH58BVG3S0HTAI0

Beschreibung: 8GB SLC BENAND TSOP 24NM 4K PAGE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
TH58BVG3S0HTA00

TH58BVG3S0HTA00

Beschreibung: IC FLASH 8G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
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TH58NVG4S0HTA20

TH58NVG4S0HTA20

Beschreibung: IC FLASH 16G PARALLEL 48TSOP I

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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