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THGAF8T0T43BAIR

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  • Artikelnummer
    THGAF8T0T43BAIR
  • Hersteller / Marke
    Kioxia America, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    128GB VER. 2.1 UFS UNIVERSAL FLA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    THGAF8T0T43BAIR.pdf
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    2.7 V ~ 3.6 V
  • Technologie
    FLASH - NAND
  • Supplier Device-Gehäuse
    153-VFBGA (11.5x13)
  • Serie
    Consumer UFS
  • Verpackung
    Tray
  • Verpackung / Gehäuse
    153-VFBGA
  • Andere Namen
    THGAF8T0T43BAIRH2L
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    1Tb (128G x 8)
  • Speicherschnittstelle
    UFS
  • Speicherformat
    FLASH
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND Memory IC 1Tb (128G x 8) UFS 153-VFBGA (11.5x13)

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THGBMHG7C1LBAIL

THGBMHG7C1LBAIL

Beschreibung: IC FLASH 128G MMC 153WFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
THG3809X

THG3809X

Beschreibung: LED GREEN CLEAR T/H

Hersteller: Stanley Electric
vorrätig
RFQ
THG3801C

THG3801C

Beschreibung: LED GREEN CLEAR T/H

Hersteller: Stanley Electric
vorrätig
RFQ
THGBMHG9C8LBAWG

THGBMHG9C8LBAWG

Beschreibung: IC FLASH 512G MMC 153WFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
THGBMHG8C2LBAIL

THGBMHG8C2LBAIL

Beschreibung: IC FLASH 256G MMC 153WFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
IS62WV51216BLL-55BI

IS62WV51216BLL-55BI

Beschreibung: IC SRAM 8M PARALLEL 48MINIBGA

Hersteller: ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
vorrätig
RFQ
THGAF8G9T43BAIR

THGAF8G9T43BAIR

Beschreibung: IC FLASH 512G UFS 153VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
THGBMHG8C4LBAWR

THGBMHG8C4LBAWR

Beschreibung: IC FLASH 256G MMC 153WFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
CAT25256VI-GT3

CAT25256VI-GT3

Beschreibung: IC EEPROM 256K SPI 20MHZ 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
THGBMHG7C2LBAWR

THGBMHG7C2LBAWR

Beschreibung: IC FLASH 128G MMC 153WFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
THGBMHG6C1LBAWL

THGBMHG6C1LBAWL

Beschreibung: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
M29W010B70N6F TR

M29W010B70N6F TR

Beschreibung: IC FLASH 1M PARALLEL 32TSOP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
THGAF8T1T83BAIR

THGAF8T1T83BAIR

Beschreibung: IC FLASH 2T UFS 153VFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
THG1111C-0005-TR

THG1111C-0005-TR

Beschreibung: LED GREEN 1608 SMD

Hersteller: Stanley Electric
vorrätig
RFQ
THGAF8G8T23BAIL

THGAF8G8T23BAIL

Beschreibung: IC FLASH 256G UFS 153WFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
THGBMHG6C1LBAIL

THGBMHG6C1LBAIL

Beschreibung: IC FLASH 64G MMC 52MHZ 153WFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
S70GL02GP12FFI010

S70GL02GP12FFI010

Beschreibung: IC FLASH 2G PARALLEL 64FBGA

Hersteller: Cypress Semiconductor
vorrätig
RFQ
FT24C04A-KSG-B

FT24C04A-KSG-B

Beschreibung: IC EEPROM 4KBIT 1MHZ 8SOP

Hersteller: Fremont Micro Devices
vorrätig
RFQ
THGBMHG9C4LBAIR

THGBMHG9C4LBAIR

Beschreibung: IC FLASH 512G MMC 153WFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
vorrätig
RFQ
THGBMDG5D1LBAIT

THGBMDG5D1LBAIT

Beschreibung: IC FLASH 32G MMC 52MHZ 153WFBGA

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
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