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41393762SA1020-Y(T6TOJ,FM-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1020-Y(T6TOJ,FM

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    2SA1020-Y(T6TOJ,FM
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PNP 2A 50V TO226-3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 1A
  • Transistor-Typ
    PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-92MOD
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    900mW
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • Andere Namen
    2SA1020-Y(T6TOJFM
    2SA1020YT6TOJFM
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    100MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 2A 100MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    70 @ 500mA, 2V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    1µA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    2A
2SA1020-Y,T6KEHF(M

2SA1020-Y,T6KEHF(M

Beschreibung: TRANS PNP 2A 50V TO226-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
2SA1020A,NSEIKIF(J

2SA1020A,NSEIKIF(J

Beschreibung: TRANS PNP 2A 50V TO226-3

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vorrätig
2SA1020-Y(T6ND3,AF

2SA1020-Y(T6ND3,AF

Beschreibung: TRANS PNP 2A 50V TO226-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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2SA1020-Y,T6WNLF(J

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2SA1020-Y(T6CN,A,F

2SA1020-Y(T6CN,A,F

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2SA1020-Y,T6F(J

2SA1020-Y,T6F(J

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2SA1020-Y,F(J

2SA1020-Y,F(J

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2SA1020-Y(T6TR1,AF

2SA1020-Y(T6TR1,AF

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2SA1020-Y,HOF(M

2SA1020-Y,HOF(M

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2SA1020-Y(T6CANOFM

2SA1020-Y(T6CANOFM

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2SA1020-Y(T6FJT,AF

2SA1020-Y(T6FJT,AF

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2SA1020-Y(T6ND1,AF

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2SA1020-Y(ND1,AF)

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2SA1020-Y(HIT,F,M)

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2SA1020-Y(T6TR,A,F

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2SA1020-Y,F(M

2SA1020-Y,F(M

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2SA1020-Y(T6CANOAF

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2SA1020-Y,T6NSF(J

2SA1020-Y,T6NSF(J

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2SA1020-Y(F,M)

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2SA1020-Y(T6OMI,FM

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