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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > 2SK3462(TE16L1,NQ)

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2955332

2SK3462(TE16L1,NQ)

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Spezifikation

Artikelnummer

2SK3462(TE16L1,NQ)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.2SK3462(TE16L1,NQ).pdf
2.2SK3462(TE16L1,NQ).pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

PW-MOLD
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.7 Ohm @ 1.5A, 10V
Verlustleistung (max)

20W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

267pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

250V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 250V 3A (Ta) 20W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3A (Ta)

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Das Folgende sind "2SK3462(TE16L1,NQ)" -Einziper.

2SK3483-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK3388(TE24L,Q)

2SK3388(TE24L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 20A SC-97

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

2SK3483(0)-Z-E1-AY

2SK3483(0)-Z-E1-AY

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK3430-Z-E1-AZ

2SK3430-Z-E1-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK3482-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK3430-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK3435-Z-E1-AZ

2SK3435-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK3430(02)-S6-AZ

2SK3430(02)-S6-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK3475TE12LF

Beschreibung: MOSF RF N CH 20V 1A PW-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

2SK3431-Z-E1-AZ

2SK3431-Z-E1-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK3476(TE12L,Q)

2SK3476(TE12L,Q)

Beschreibung: MOSF RF N CH 20V 3A PW-X

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

2SK3480-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK3431-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 83A TO220AB

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK34260TL

Beschreibung: JFET N-CH 2MA 100MW SSSMINI-3P

Hersteller: Panasonic

vorrätig

2SK3481-AZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK3466(TE24L,Q)

2SK3466(TE24L,Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 5A SC-97

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

2SK3484(0)-Z-E1-AZ

2SK3484(0)-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK3483(0)-Z-E1-AZ

2SK3483(0)-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

2SK3403(Q)

2SK3403(Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 13A TO220FL

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

2SK3402(0)-Z-E1-AZ

2SK3402(0)-Z-E1-AZ

Beschreibung: TRANSISTOR

Hersteller: Renesas Electronics America

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