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2952018

2SK3483-AZ-Bild.

Renesas Electronics America

2SK3483-AZ

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Spezifikation

Artikelnummer

2SK3483-AZ
Hersteller / Marke

Renesas Electronics Corporation
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

2SK3483-AZ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-251 (MP-3)
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 14A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta), 40W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2300pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 28A (Ta) 1W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-251 (MP-3)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

28A (Ta)

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