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53491903SK291(TE85L,F)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

3SK291(TE85L,F)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    3SK291(TE85L,F)
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH SMQ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    3SK291(TE85L,F).pdf
  • Spannung - Prüfung
    6V
  • Spannung - Nennwert
    12.5V
  • Transistor-Typ
    N-Channel Dual Gate
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMQ
  • Serie
    -
  • Leistung
    -
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-61AA
  • Andere Namen
    3SK291(TE85LF)DKR
  • Rauschmaß
    2.5dB
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    22.5dB
  • Frequenz
    800MHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 800MHz 22.5dB SMQ
  • Aktuelle Bewertung
    30mA
  • Strom - Test
    10mA

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Das Folgende sind "3SK291(TE85L,F)" -Einziper.
BF245A,126

BF245A,126

Beschreibung: JFET N-CH 30V 6.5MA TO92

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
BLP10H630PY

BLP10H630PY

Beschreibung: RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF

Hersteller: Ampleon
vorrätig
RFQ
PD85035A-E

PD85035A-E

Beschreibung: FET RF 40V 870MHZ POWERSO10

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
3SK292(TE85R,F)

3SK292(TE85R,F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
2N5245

2N5245

Beschreibung: JFET N-CH 30V 15MA TO92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
MRF8S26120HSR5

MRF8S26120HSR5

Beschreibung: FET RF 65V 2.69GHZ NI780S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
ON5200,118

ON5200,118

Beschreibung: MOSFET RF SOT426 D2PAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
PXFC192207SHV1R250XTMA1

PXFC192207SHV1R250XTMA1

Beschreibung: IC AMP RF LDMOS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
AFV10700HR5

AFV10700HR5

Beschreibung: RF MOSFET LDMOS DL 50V NI-780-4

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
3SK264-5-TG-E

3SK264-5-TG-E

Beschreibung: FET RF 15V 200MHZ CP4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
3SK294(TE85L,F)

3SK294(TE85L,F)

Beschreibung: FET RF 12.5V 500MHZ USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
BLF8G27LS-100V,112

BLF8G27LS-100V,112

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244B

Hersteller: Ampleon
vorrätig
RFQ
MRFE6VP5150GNR1

MRFE6VP5150GNR1

Beschreibung: FET RF 2CH 133V 230MHZ TO-270 GW

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
MRF1K50HR5

MRF1K50HR5

Beschreibung: HIGH POWER RF TRANSISTOR

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
3SK293(TE85L,F)

3SK293(TE85L,F)

Beschreibung: FET RF 12.5V 800MHZ USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MAGX-000035-015000

MAGX-000035-015000

Beschreibung: TRANSISTOR GAN 3.5GHZ 15W

Hersteller: Aeroflex (MACOM Technology Solutions)
vorrätig
RFQ
PTFA191001F V4

PTFA191001F V4

Beschreibung: IC FET RF LDMOS 100W H-37248-2

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NE3517S03-T1C-A

NE3517S03-T1C-A

Beschreibung: FET RF 4V 20GHZ S03

Hersteller: CEL (California Eastern Laboratories)
vorrätig
RFQ
3SK263-5-TG-E

3SK263-5-TG-E

Beschreibung: FET RF 15V 200MHZ CP4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
BF 1005SR E6327

BF 1005SR E6327

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
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