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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-RF > 3SK292(TE85R,F)
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14131503SK292(TE85R,F)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

3SK292(TE85R,F)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    3SK292(TE85R,F)
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 12.5 30MA SMQ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Prüfung
    6V
  • Spannung - Nennwert
    12.5V
  • Transistor-Typ
    N-Channel Dual Gate
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMQ
  • Serie
    -
  • Leistung
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-61AA
  • Andere Namen
    3SK292 (TE85R,F)
    3SK292(TE85RF)TR
  • Rauschmaß
    1.4dB
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    26dB
  • Frequenz
    500MHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 500MHz 26dB SMQ
  • Aktuelle Bewertung
    30mA
  • Strom - Test
    10mA
3SK293(TE85L,F)

3SK293(TE85L,F)

Beschreibung: FET RF 12.5V 800MHZ USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
3SK294(TE85L,F)

3SK294(TE85L,F)

Beschreibung: FET RF 12.5V 500MHZ USQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
MRF8S21120HR3

MRF8S21120HR3

Beschreibung: FET RF 65V 2.17GHZ NI780H

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BLP05H6350XRY

BLP05H6350XRY

Beschreibung: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLM8D1822S-50PBGY

BLM8D1822S-50PBGY

Beschreibung: RF MOSFET LDMOS 28V 16-HSOP

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLP10H603Z

BLP10H603Z

Beschreibung: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN

Hersteller: Ampleon
vorrätig
MAGX-000035-09000P

MAGX-000035-09000P

Beschreibung: FET RF 65V 3.5GHZ 14DFN

Hersteller: Aeroflex (MACOM Technology Solutions)
vorrätig
BF 5020 E6327

BF 5020 E6327

Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
BLF25M612G,118

BLF25M612G,118

Beschreibung: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C

Hersteller: Ampleon
vorrätig
BLC6G27-100,118

BLC6G27-100,118

Beschreibung: RF FET 28V SOT895A

Hersteller: Ampleon
vorrätig
3SK291(TE85L,F)

3SK291(TE85L,F)

Beschreibung: MOSFET N-CH SMQ

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
3SK263-5-TG-E

3SK263-5-TG-E

Beschreibung: FET RF 15V 200MHZ CP4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MRF7S16150HSR3

MRF7S16150HSR3

Beschreibung: FET RF 65V 1.66GHZ NI-780S

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
3SK264-5-TG-E

3SK264-5-TG-E

Beschreibung: FET RF 15V 200MHZ CP4

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
MMRF1022HSR5

MMRF1022HSR5

Beschreibung: FET RF 2CH 65V 2.14GHZ NI1230S-4

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
BF244A

BF244A

Beschreibung: JFET N-CH 30V 50MA TO92

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
IXZR16N60

IXZR16N60

Beschreibung: RF MOSFET N-CHANNEL PLUS247-3

Hersteller: IXYS RF
vorrätig
SD2941-10RW

SD2941-10RW

Beschreibung: IC TRANS RF HF/VHF/UHF M174

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
ATF-38143-TR1G

ATF-38143-TR1G

Beschreibung: IC PHEMT 1.9GHZ 4.5V 10MA SOT343

Hersteller: Avago Technologies (Broadcom Limited)
vorrätig
PTFB212507SHV1R250XTMA1

PTFB212507SHV1R250XTMA1

Beschreibung: IC AMP RF LDMOS

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig

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