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Zuhause > Produkte > Circuit Protection > TVS-Dioden > DF2B18FU,H3F
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2108239DF2B18FU,H3F-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

DF2B18FU,H3F

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vorrätig
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6000+
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15000+
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75000+
$0.043
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    DF2B18FU,H3F
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TVS DIODE 12V 33V USC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    DF2B18FU,H3F.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Betriebsgleichspannung (Typ)
    12V
  • Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp
    33V
  • Spannung - Aufteilung (min.)
    16.2V
  • Art
    Zener
  • Supplier Device-Gehäuse
    USC
  • Serie
    -
  • Stromleitungsschutz
    No
  • Power - Peak Pulse
    80W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-76, SOD-323
  • Andere Namen
    DF2B18FU,H3F(B
    DF2B18FU,H3F(T
    DF2B18FUH3FTR
  • Betriebstemperatur
    -
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000μs)
    2.5A (8/20µs)
  • Kapazität @ Frequenz
    9pF @ 1MHz
  • Bidirektionale Kanäle
    1
  • Anwendungen
    Automotive

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Das Folgende sind "DF2B18FU,H3F" -Einziper.
DF2B5M4SL,L3F

DF2B5M4SL,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 3.6V 24V SL2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B6.8ACT,L3F

DF2B6.8ACT,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5V 7V CST2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF28N-150DS-0.4V(51)

DF28N-150DS-0.4V(51)

Beschreibung: CONN RCPT 150POS 0.4MM VERT SMD

Hersteller: Hirose
vorrätig
RFQ
DF2B20M4SL,L3F

DF2B20M4SL,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 18.5V 30V SL2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B12M1CT(TPL3)

DF2B12M1CT(TPL3)

Beschreibung: TVS DIODE 8V 18V CST2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF28N-150DP-0.4H(51)

DF28N-150DP-0.4H(51)

Beschreibung: CONN HEADER 150POS 0.4MM R/A SMD

Hersteller: Hirose
vorrätig
RFQ
DF2B6.8FS(TPL3,T)

DF2B6.8FS(TPL3,T)

Beschreibung: TVS DIODE 5V 8.5V FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2667VFQ33V

DF2667VFQ33V

Beschreibung: IC MCU 16BIT 384KB FLASH 144LQFP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
DF2676VFC33V

DF2676VFC33V

Beschreibung: IC MCU 16BIT 256KB FLASH 144LQFP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
DF2B36FU,H3F

DF2B36FU,H3F

Beschreibung: TVS DIODE 28V 40V USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B6.8E,L3F

DF2B6.8E,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5VWM ESC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B6.8M1ACT,L3F

DF2B6.8M1ACT,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 5V 20V CST2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B6.8FS(TPL4,D)

DF2B6.8FS(TPL4,D)

Beschreibung: TVS DIODE 5V 8.5V FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B12M2SC

DF2B12M2SC

Beschreibung: TVS DIODE 8V 18V SC2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF26A1.7-9CP-1.1V(66)

DF26A1.7-9CP-1.1V(66)

Beschreibung: CONN RECEPTACLE

Hersteller: Hirose
vorrätig
RFQ
DF2B12M2SC,L3F

DF2B12M2SC,L3F

Beschreibung: TVS DIODE 8VWM 18VC SC2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B29FU,H3F

DF2B29FU,H3F

Beschreibung: TVS DIODE 24V 47V USC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2B12M4SL,L3F

DF2B12M4SL,L3F

Beschreibung: TVS DIODE BIDIR 8V 18V SL2

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DF2648RFC20JV

DF2648RFC20JV

Beschreibung: IC MCU 16BIT 128KB FLASH 144QFP

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
DF2B6.8AFS,L3M

DF2B6.8AFS,L3M

Beschreibung: TVS DIODE 5V 7V FSC

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
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