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3133698HN1B01FU-Y(L,F,T)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HN1B01FU-Y(L,F,T)
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 10mA, 100mA
  • Transistor-Typ
    NPN, PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    US6
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    HN1B01FU-Y(LFT)DKR
  • Betriebstemperatur
    125°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    120MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 120MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    120 @ 2mA, 6V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    150mA

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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HN1A01F-GR(TE85L,F

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Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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HN1A01F-Y(TE85L,F)

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Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
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HN1A01FE-Y,LF

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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HN1B01F-GR(TE85L,F

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Beschreibung: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1A01FU-GR,LF

HN1A01FU-GR,LF

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

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HN1A01FU-Y,LF

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Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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HN1C01FU-GR,LF

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Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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HN1B01FDW1T1

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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HN1B04FU-GR,LF

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

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HN1B04FU-Y(T5L,F,T

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

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