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474822HN1B04FE-Y,LF-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-Y,LF

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    HN1B04FE-Y,LF
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    HN1B04FE-Y,LF.pdf
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Transistor-Typ
    NPN, PNP
  • Supplier Device-Gehäuse
    ES6
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    HN1B04FE-Y(T5L,F,T
    HN1B04FE-Y(T5LFTTR
    HN1B04FE-Y(T5LFTTR-ND
    HN1B04FE-Y,LF(B
    HN1B04FE-Y,LF(T
    HN1B04FE-YLF(TTR
    HN1B04FE-YLF(TTR-ND
    HN1B04FE-YLFTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    80MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    120 @ 2mA, 6V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    150mA

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Das Folgende sind "HN1B04FE-Y,LF" -Einziper.
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

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Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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HN1B01F-GR(TE85L,F

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1C01FYTE85LF

HN1C01FYTE85LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1B01FDW1T1

HN1B01FDW1T1

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1B01FU-Y(L,F,T)

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1B04FE-GR,LF

HN1B04FE-GR,LF

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1A01FU-GR,LF

HN1A01FU-GR,LF

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1A01FE-Y,LF

HN1A01FE-Y,LF

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
HN1A01FU-Y,LF

HN1A01FU-Y,LF

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Beschreibung: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HN1B01FU-GR,LF

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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