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MT3S113(TE85L,F)

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30000+
$0.248
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT3S113(TE85L,F)
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT3S113(TE85L,F).pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    5.3V
  • Transistor-Typ
    NPN
  • Supplier Device-Gehäuse
    S-Mini
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    800mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    MT3S113(TE85LF)
    MT3S113(TE85LF)TR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Rauschzahl (dB Typ @ f)
    1.45dB @ 1GHz
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Gewinnen
    11.8dB
  • Frequenz - Übergang
    12.5GHz
  • detaillierte Beschreibung
    RF Transistor NPN 5.3V 100mA 12.5GHz 800mW Surface Mount S-Mini
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    200 @ 30mA, 5V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Beschreibung: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Beschreibung: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Beschreibung: PARALLEL/PSRAM 80M

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Beschreibung: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Beschreibung: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT3B3024

MT3B3024

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Beschreibung: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Beschreibung: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Beschreibung: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

Beschreibung: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Beschreibung: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Beschreibung: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Beschreibung: PARALLEL/PSRAM 48M

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT3B30C4

MT3B30C4

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
MT3B6115

MT3B6115

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

Beschreibung: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Beschreibung: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
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