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Zuhause > Produkte > Relais > Power Relays, über 2 Ampere > MT3B3024
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6995465MT3B3024-Bild.Agastat Relays / TE Connectivity

MT3B3024

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT3B3024
  • Hersteller / Marke
    Agastat Relays / TE Connectivity
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT3B3024.pdf
  • ECAD -Modell
  • Turn On Spannung (max)
    18 VDC
  • Turn Off Spannung (min)
    2.4 VDC
  • Abschlussart
    Plug In, 11 Pin (Octal)
  • Schaltspannung
    400VAC - Max
  • Serie
    MT, SCHRACK
  • Veröffentlichkeitsdatum
    10ms
  • Relaistyp
    General Purpose
  • Verpackung
    Bulk
  • Andere Namen
    9-1393090-1
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 60°C
  • Anzugszeit
    15ms
  • Befestigungsart
    Socketable
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eigenschaften
    LED Indicator, Test Button
  • detaillierte Beschreibung
    General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 24VDC Coil Socketable
  • Kontaktbelastbarkeit (Strom)
    4A
  • Kontaktmaterial
    Silver Nickel (AgNi)
  • Kontakt Formular
    3PDT (3 Form C)
  • Spulenspannung
    24VDC
  • Spulentyp
    Non Latching
  • Spulenwiderstand
    475 Ohms
  • Spulenspannung
    1.2 W
  • Spulenstrom
    50.0mA

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Zahlung
Das Folgende sind "MT3B3024" -Einziper.
MT3B30C4

MT3B30C4

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Beschreibung: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Beschreibung: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

Beschreibung: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Beschreibung: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Beschreibung: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Beschreibung: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT3B6115

MT3B6115

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Hersteller: Agastat Relays / TE Connectivity
vorrätig
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Beschreibung: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Beschreibung: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Beschreibung: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Beschreibung: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

Beschreibung: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Beschreibung: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Beschreibung: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Beschreibung: PARALLEL/PSRAM 48M

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Beschreibung: PARALLEL/PSRAM 80M

Hersteller: Micron Technology
vorrätig
RFQ
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Beschreibung: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
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