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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN1108(T5L,F,T)

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511561

RN1108(T5L,F,T)-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1108(T5L,F,T)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1108(T5L,F,T)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1108(T5L,F,T).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SSM
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-75, SOT-416
Andere Namen

RN1108(T5LFT)TR
RN1108T5LFT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN1108(T5L,F,T)" -Einziper.

RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1109CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1106,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1105MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1110ACT(TPL3)

RN1110ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1108CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1107CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1105CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1109MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1109,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1106MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1106CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1110,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1107,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1107ACT(TPL3)

RN1107ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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