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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN1110MFV,L3F

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3197431

RN1110MFV,L3F-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1110MFV,L3F

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1110MFV,L3F
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1110MFV,L3F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

VESM
Serie

-
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Andere Namen

RN1110MFV(TL3,T)
RN1110MFV(TL3T)TR
RN1110MFV(TL3T)TR-ND
RN1110MFV,L3F(B
RN1110MFV,L3F(T
RN1110MFVL3F
RN1110MFVL3F-ND
RN1110MFVL3FTR
RN1110MFVTL3T
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN1110MFV,L3F" -Einziper.

RN1113CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1109(T5L,F,T)

RN1109(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1110,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1110CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1108CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1111,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1109CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1110ACT(TPL3)

RN1110ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1112CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1111ACT(TPL3)

RN1111ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1111CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1109MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1109,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 100MW SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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