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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN1111CT(TPL3)

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RN1111CT(TPL3)-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1111CT(TPL3)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1111CT(TPL3).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

20V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

CST3
Serie

-
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

50mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-101, SOT-883
Andere Namen

RN1111CT(TPL3)CT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

300 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

50mA

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Das Folgende sind "RN1111CT(TPL3)" -Einziper.

RN1109ACT(TPL3)

RN1109ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1114(T5L,F,T)

RN1114(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1113(T5L,F,T)

RN1113(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1112ACT(TPL3)

RN1112ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1112(T5L,F,T)

RN1112(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1111,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1114MFV,L3F

RN1114MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM PLN (LF) TRANSISTO

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1111ACT(TPL3)

RN1111ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1110,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1113CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1110CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1109CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1110MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1113ACT(TPL3)

RN1113ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1113MFV,L3F

RN1113MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1110ACT(TPL3)

RN1110ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1112CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1109MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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