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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN1303(TE85L,F)

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2810252

RN1303(TE85L,F)-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN1303(TE85L,F)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN1303(TE85L,F).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

USM
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

22 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

RN1303(TE85LF)DKR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

70 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN1303(TE85L,F)" -Einziper.

RN122-3-02-4M5

Beschreibung: CMC 4.5MH 3A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1309(TE85L,F)

RN1309(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1310(TE85L,F)

RN1310(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN122-4-02-1

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 3.3MH 4A

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1301,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1308,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1309,LF

RN1309,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN122-4-02-3M3

Beschreibung: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1311,LF

RN1311,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1307,LF

RN1307,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1305,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN125-I/RM

RN125-I/RM

Beschreibung: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Hersteller: Micrel / Microchip Technology

vorrätig

RN122-4-02

Beschreibung: CMC 3.3MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1306,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1312(TE85L,F)

RN1312(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN1304,LF

RN1304,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN123-I/RM

RN123-I/RM

Beschreibung: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Hersteller: Micrel / Microchip Technology

vorrätig

RN1302SU,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Touchstone

vorrätig

RN122-4-02-1M8

Beschreibung: CMC 1.8MH 4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN1302,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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