Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN1309,LF
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
6889383

RN1309,LF

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
3000+
$0.035
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN1309,LF
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN1309,LF.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    USM
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    22 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    47 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-70, SOT-323
  • Andere Namen
    RN1309LF
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    70 @ 5mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Südkorea plant, den Chip -Gesetz zu erlassen, um Trumps Be...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "RN1309,LF" -Einziper.
RN1309(TE85L,F)

RN1309(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1308,LF

RN1308,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1304,LF

RN1304,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM PLN (LF) TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1303(TE85L,F)

RN1303(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1305,LF

RN1305,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1317(TE85L,F)

RN1317(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1318(TE85L,F)

RN1318(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1301,LF

RN1301,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1315,LF

RN1315,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN131C/RM

RN131C/RM

Beschreibung: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
RN1311,LF

RN1311,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1313(TE85L,F)

RN1313(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1316,LF

RN1316,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1302,LF

RN1302,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1302SU,LF

RN1302SU,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Touchstone
vorrätig
RFQ
RN1306,LF

RN1306,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1312(TE85L,F)

RN1312(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.15W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1307,LF

RN1307,LF

Beschreibung: X34 PB-F USM TRANSISTOR PD 100MW

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1310(TE85L,F)

RN1310(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1314(TE85L,F)

RN1314(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.