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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN1408,LF(B
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808002

RN1408,LF(B

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6000+
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30000+
$0.025
75000+
$0.022
150000+
$0.018
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN1408,LF(B
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    S-Mini
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    22 kOhms
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    RN1408(TE85L,F)
    RN1408(TE85LF)TR
    RN1408(TE85LF)TR-ND
    RN1408,LF
    RN1408,LF(T
    RN1408LF(BTR
    RN1408LFTR
    RN1408LFTR-ND
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
RN141GT2R

RN141GT2R

Beschreibung: DIODE PIN HF SW 50V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RN1402S,LF

RN1402S,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1418(TE85L,F)

RN1418(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1406,LF

RN1406,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1402,LF

RN1402,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1406S,LF(D

RN1406S,LF(D

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN141STE61

RN141STE61

Beschreibung: DIODE FAST REC 50V 100MA 2EMD TR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RN1415(TE85L,F)

RN1415(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1417(TE85L,F)

RN1417(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1412TE85LF

RN1412TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1414,LF

RN1414,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN134-I/RM

RN134-I/RM

Beschreibung: RF TXRX MOD WIFI CHIP + U.FL ANT

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RN1401,LF

RN1401,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1404S,LF

RN1404S,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1416,LF

RN1416,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1403,LF

RN1403,LF

Beschreibung: X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1413(TE85L,F)

RN1413(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1409,LF

RN1409,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1404,LF

RN1404,LF

Beschreibung: X34 PB-F S-MINI PLN (LF) TRANSIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN1405,LF

RN1405,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig

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