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RN1417(TE85L,F)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN1417(TE85L,F)
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN1417(TE85L,F).pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    NPN - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    S-Mini
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    4.7 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    RN1417(TE85LF)TR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    30 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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Das Folgende sind "RN1417(TE85L,F)" -Einziper.
RN141GT2R

RN141GT2R

Beschreibung: DIODE PIN HF SW 50V 100MA VMD2

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RN142-1-02

RN142-1-02

Beschreibung: COMMON MODE CHOKE 33MH 1A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1418(TE85L,F)

RN1418(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1414,LF

RN1414,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN142-2-02

RN142-2-02

Beschreibung: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1406,LF

RN1406,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1416,LF

RN1416,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN142-1.4-02

RN142-1.4-02

Beschreibung: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1413(TE85L,F)

RN1413(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN142-1.4-02-27M

RN142-1.4-02-27M

Beschreibung: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1408,LF(B

RN1408,LF(B

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN142-0.5-02-82M

RN142-0.5-02-82M

Beschreibung: CMC 82MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN142-0.5-02

RN142-0.5-02

Beschreibung: CMC 82MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN142-1-02-33M

RN142-1-02-33M

Beschreibung: CMC 33MH 1A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.
vorrätig
RFQ
RN1409,LF

RN1409,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1405,LF

RN1405,LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1406S,LF(D

RN1406S,LF(D

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN1415(TE85L,F)

RN1415(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN141STE61

RN141STE61

Beschreibung: DIODE FAST REC 50V 100MA 2EMD TR

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RN1412TE85LF

RN1412TE85LF

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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