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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN2101,LF(CT

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2255519

RN2101,LF(CT-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101,LF(CT

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Spezifikation

Artikelnummer

RN2101,LF(CT
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN2101,LF(CT.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

SSM
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SC-75, SOT-416
Andere Namen

RN2101(T5LFT)CT
RN2101(T5LFT)CT-ND
RN2101LF(CTCT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN2101,LF(CT" -Einziper.

RN204-2-02-1M1

RN204-2-02-1M1

Beschreibung: CMC 1.1MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2101ACT(TPL3)

RN2101ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2103ACT(TPL3)

RN2103ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2102,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2103(T5L,F,T)

RN2103(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN204-1-02-3M0

RN204-1-02-3M0

Beschreibung: CMC 3MH 1A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN204-1.5-02-1M6

RN204-1.5-02-1M6

Beschreibung: CMC 1.6MH 1.5A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN204-0.3-02-12M

RN204-0.3-02-12M

Beschreibung: CMC 12MH 300MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN202-2-02-1M1

Beschreibung: CMC 1.1MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN204-0.3-02-22M

RN204-0.3-02-22M

Beschreibung: CMC 22MH 300MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2102CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN202-2-02

Beschreibung: CMC 1.1MH 2A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN21-I/RM

Beschreibung: RF TXRX MODULE BLUETOOTH

Hersteller: Micrel / Microchip Technology

vorrätig

RN2104(T5L,F,T)

RN2104(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2102ACT(TPL3)

RN2102ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2103MFV,L3F

RN2103MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN204-0.6-02-4M4

RN204-0.6-02-4M4

Beschreibung: CMC 4.4MH 600MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN202-1.5-02-1M6

RN202-1.5-02-1M6

Beschreibung: CMC 1.6MH 1.5A 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2101CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2103CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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