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RN2103MFV,L3F

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN2103MFV,L3F
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 500µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    VESM
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    22 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    22 kOhms
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-723
  • Andere Namen
    RN2103MFVL3F
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    70 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
RN2105ACT(TPL3)

RN2105ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2104(T5L,F,T)

RN2104(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2106ACT(TPL3)

RN2106ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2103(T5L,F,T)

RN2103(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2104CT(TPL3)

RN2104CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2101CT(TPL3)

RN2101CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN21-I/RM

RN21-I/RM

Beschreibung: RF TXRX MODULE BLUETOOTH

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RN2105MFV,L3F

RN2105MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2103CT(TPL3)

RN2103CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2101ACT(TPL3)

RN2101ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2106(T5L,F,T)

RN2106(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2105CT(TPL3)

RN2105CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2106CT(TPL3)

RN2106CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2102CT(TPL3)

RN2102CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2102,LF(CT

RN2102,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2101,LF(CT

RN2101,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2103ACT(TPL3)

RN2103ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2102ACT(TPL3)

RN2102ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2104MFV,L3F

RN2104MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2104ACT(TPL3)

RN2104ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

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