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1875433RN2107,LF(CB-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107,LF(CB

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1000+
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN2107,LF(CB
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RN2107,LF(CB.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SSM
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    10 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-75, SOT-416
  • Andere Namen
    RN2107(T5LFT)CT
    RN2107(T5LFT)CT-ND
    RN2107LF(CBCT
    RN2107LF(CTCT
    RN2107LF(CTCT-ND
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA

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RN2106ACT(TPL3)

RN2106ACT(TPL3)

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vorrätig
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RN2108(T5L,F,T)

RN2108(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2107ACT(TPL3)

RN2107ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2106(T5L,F,T)

RN2106(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2108CT(TPL3)

RN2108CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2104ACT(TPL3)

RN2104ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2104(T5L,F,T)

RN2104(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2106CT(TPL3)

RN2106CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2109ACT(TPL3)

RN2109ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2109CT(TPL3)

RN2109CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2104CT(TPL3)

RN2104CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
RN2107MFV,L3F

RN2107MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN

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vorrätig
RFQ
RN2108MFV,L3F

RN2108MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN2104MFV,L3F

RN2104MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 50V 500NA VESM

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vorrätig
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RN2105MFV,L3F

RN2105MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN2105ACT(TPL3)

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

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RN2105CT(TPL3)

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2107CT(TPL3)

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

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