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6054919RN2110,LF(CB-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110,LF(CB

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN2110,LF(CB
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    PNP - Pre-Biased
  • Supplier Device-Gehäuse
    SSM
  • Serie
    -
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    100mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-75, SOT-416
  • Andere Namen
    RN2110(T5L,F,T)
    RN2110(T5LFT)TR
    RN2110(T5LFT)TR-ND
    RN2110,LF(CBTR
    RN2110,LF(CT
    RN2110LF(CBTR
    RN2110LF(CTTR
    RN2110LF(CTTR-ND
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    16 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount SSM
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    120 @ 1mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
RN2109MFV,L3F

RN2109MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2107CT(TPL3)

RN2107CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2110ACT(TPL3)

RN2110ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2108(T5L,F,T)

RN2108(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2112,LF(CT

RN2112,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2110MFV,L3F

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Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN2111ACT(TPL3)

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2109CT(TPL3)

RN2109CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2111,LF(CB

RN2111,LF(CB

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2110CT(TPL3)

RN2110CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

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vorrätig
RN2108MFV,L3F

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Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2108ACT(TPL3)

RN2108ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2109ACT(TPL3)

RN2109ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

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RN2111CT(TPL3)

RN2111CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RN2112CT(TPL3)

RN2112CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

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RN2107ACT(TPL3)

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Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2108CT(TPL3)

RN2108CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN2107MFV,L3F

RN2107MFV,L3F

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN

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