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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN2112ACT(TPL3)

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RN2112ACT(TPL3)-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2112ACT(TPL3)

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Spezifikation

Artikelnummer

RN2112ACT(TPL3)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN2112ACT(TPL3).pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

CST3
Serie

-
Widerstand - Basis (R1)

22 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SC-101, SOT-883
Andere Namen

RN2112ACT(TPL3)DKR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 1mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

80mA

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Das Folgende sind "RN2112ACT(TPL3)" -Einziper.

RN2109MFV,L3F

RN2109MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2115MFV,L3F

RN2115MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2117MFV,L3F

RN2117MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2111CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2114MFV,L3F

RN2114MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2110,LF(CB

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2117(T5L,F,T)

RN2117(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2116,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2115,LF(CB

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2112,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2112CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2111MFV,L3F

RN2111MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2110MFV,L3F

RN2110MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2111ACT(TPL3)

RN2111ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2110CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2111,LF(CB

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2110ACT(TPL3)

RN2110ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2113CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2114(TE85L,F)

RN2114(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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