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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-Bipolar (BJT)-einzeln, Pre-biased > RN2117MFV,L3F

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758461

RN2117MFV,L3F

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$0.032

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Spezifikation

Artikelnummer

RN2117MFV,L3F
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN2117MFV,L3F.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

VESM
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Andere Namen

RN2117MFVL3F
Befestigungsart

Surface Mount
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN2117MFV,L3F" -Einziper.

RN2113CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2112ACT(TPL3)

RN2112ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2117(T5L,F,T)

RN2117(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2114(TE85L,F)

RN2114(TE85L,F)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2116,LF(CT

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2114MFV,L3F

RN2114MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2115,LF(CB

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN212-0.5-02

Beschreibung: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2119MFV(TPL3)

RN2119MFV(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN212-0.5-02-15M

RN212-0.5-02-15M

Beschreibung: CMC 15MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN212-0.4-02-27M

RN212-0.4-02-27M

Beschreibung: CMC 27MH 400MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2115MFV,L3F

RN2115MFV,L3F

Beschreibung: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2113ACT(TPL3)

RN2113ACT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN2118(T5L,F,T)

RN2118(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN212-0.5-02-18M

RN212-0.5-02-18M

Beschreibung: CMC 18MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2112CT(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN212-0.4-02-39M

RN212-0.4-02-39M

Beschreibung: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN212-0.4-02

Beschreibung: CMC 39MH 400MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

vorrätig

RN2118MFV(TPL3)

RN2118MFV(TPL3)

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 0.15W VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN212-0.5-02-27M

RN212-0.5-02-27M

Beschreibung: CMC 27MH 500MA 2LN TH

Hersteller: Schaffner EMC, Inc.

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