RN4981FE,LF(CB

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Spezifikation

Artikelnummer

RN4981FE,LF(CB
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RN4981FE,LF(CB.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

ES6
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

4.7 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

4.7 kOhms
Leistung - max

100mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

RN4981FE(TE85L,F)
RN4981FE(TE85LF)TR
RN4981FE(TE85LF)TR-ND
RN4981FE,LF(CT
RN4981FELF(CBTR
RN4981FELF(CTTR
RN4981FELF(CTTR-ND
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz, 200MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "RN4981FE,LF(CB" -Einziper.

RN4986(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

RN4981FE,LF(CB

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