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4183868RN4989(T5L,F,T)-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

RN4989(T5L,F,T)

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RN4989(T5L,F,T)
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    US6
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    22 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    47 kOhms
  • Leistung - max
    200mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Andere Namen
    RN4989(T5LFT)TR
    RN4989T5LFT
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz, 200MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    70 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    100µA (ICBO)
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
RN49A1(T5L,F,T)

RN49A1(T5L,F,T)

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN4987,LF(CT

RN4987,LF(CT

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN4981,LF(CT

RN4981,LF(CT

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN49A2,LF(CT

RN49A2,LF(CT

Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN4987FE,LF(CB

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN4988(T5L,F,T)

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN4982FE,LF(CB

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN4983,LF(CT

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN4984(T5L,F,T)

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN4986FE,LF(CB

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN4981FE,LF(CB

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN4990FE,LF(CB

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN4986(T5L,F,T)

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RN4991(T5L,F,T)

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

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vorrätig
RN4982,LF(CT

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

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vorrätig
RN4984,LF(CT

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN4983FE,LF(CB

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RN4984FE,LF(CB

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Beschreibung: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6

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RN4990(T5L,F,T)

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RN4985,LF(CT

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