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SSM3K15ACT(TPL3)

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM3K15ACT(TPL3)
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 0.1A CST3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM3K15ACT(TPL3).pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

CST3
Serie

U-MOSIII
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.6 Ohm @ 10mA, 4V
Verlustleistung (max)

100mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-101, SOT-883
Andere Namen

SSM3K15ACT(TPL3)TR
SSM3K15ACTTPL3
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

13.5pF @ 3V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100mA (Ta)

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Das Folgende sind "SSM3K15ACT(TPL3)" -Einziper.

SSM3K15AFS,LF

Beschreibung:

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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