SSM3K336R,LF

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Spezifikation

Artikelnummer

SSM3K336R,LF
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

SSM3K336R,LF.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SOT-23F
Serie

U-MOSVII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

95 mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (max)

1W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-23-3 Flat Leads
Andere Namen

SSM3K336R,LF(B
SSM3K336R,LF(T
SSM3K336RLF
SSM3K336RLFTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

126pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

3A (Ta)

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Das Folgende sind "SSM3K336R,LF" -Einziper.

SSM3K318T,LF

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 2.5A TSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

SSM3K336R,LF

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