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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > TK100A10N1,S4X

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TK100A10N1,S4X-Bild.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK100A10N1,S4X

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Spezifikation

Artikelnummer

TK100A10N1,S4X
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 100V 100A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK100A10N1,S4X.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220SIS
Serie

U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max)

45W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Andere Namen

TK100A10N1,S4X(S
TK100A10N1,S4X-ND
TK100A10N1S4X
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8800pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

140nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 100V 100A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

100A (Tc)

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Das Folgende sind "TK100A10N1,S4X" -Einziper.

TK100A08N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK1005800000G

TK1005800000G

Beschreibung: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Hersteller: Anytek (Amphenol Anytek)

vorrätig

TK100E10N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK1-L2-3V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Hersteller: Panasonic

vorrätig

TK100E06N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N CH 60V 100A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK10A50D(STA4,Q,M)

TK10A50D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK1-L2-4.5V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Hersteller: Panasonic

vorrätig

TK10A60E,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK1-L2-5V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Hersteller: Panasonic

vorrätig

TK100S04N1L,LQ

TK100S04N1L,LQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK100L60W,VQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK10A60W,S4VX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK1-L2-24V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Hersteller: Panasonic

vorrätig

TK1-L2-9V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Hersteller: Panasonic

vorrätig

TK10A55D(STA4,Q,M)

TK10A55D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK1-L2-6V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Hersteller: Panasonic

vorrätig

TK100A06N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK1-L2-12V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Hersteller: Panasonic

vorrätig

TK100E08N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

TK10A60D(STA4,Q,M)

TK10A60D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

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