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6918676TK100E10N1,S1X-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

TK100E10N1,S1X

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$2.482
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$2.093
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TK100E10N1,S1X
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 100A TO220
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TK100E10N1,S1X.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4 mOhm @ 50A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    255W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3
  • Andere Namen
    TK100E10N1,S1X(S
    TK100E10N1S1X
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    8800pF @ 50V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    140nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100A (Ta)

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Das Folgende sind "TK100E10N1,S1X" -Einziper.
TK10A60D(STA4,Q,M)

TK10A60D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK100A10N1,S4X

TK100A10N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK10A50D(STA4,Q,M)

TK10A50D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK10A60W5,S5VX

TK10A60W5,S5VX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK100S04N1L,LQ

TK100S04N1L,LQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK100E06N1,S1X

TK100E06N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N CH 60V 100A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK1005800000G

TK1005800000G

Beschreibung: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Hersteller: Anytek (Amphenol Anytek)
vorrätig
RFQ
TK100A08N1,S4X

TK100A08N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK1-L2-6V

TK1-L2-6V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
TK10A55D(STA4,Q,M)

TK10A55D(STA4,Q,M)

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK10A60W,S4X

TK10A60W,S4X

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK10A60W,S4VX

TK10A60W,S4VX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK1-L2-4.5V

TK1-L2-4.5V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
TK100E08N1,S1X

TK100E08N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK100A06N1,S4X

TK100A06N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK1-L2-9V

TK1-L2-9V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
TK1-L2-5V

TK1-L2-5V

Beschreibung: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Hersteller: Panasonic
vorrätig
RFQ
TK10A80E,S4X

TK10A80E,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK10A60E,S4X

TK10A60E,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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