TK290P65Y,RQ

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Spezifikation

Artikelnummer

TK290P65Y,RQ
Hersteller / Marke

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

TK290P65Y,RQ.pdf
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 450µA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DPAK
Serie

DTMOSV
Rds On (Max) @ Id, Vgs

290 mOhm @ 5.8A, 10V
Verlustleistung (max)

100W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

TK290P65Y,RQ(S
TK290P65YRQ(S
TK290P65YRQTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

730pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 650V 11.5A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11.5A (Tc)

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Das Folgende sind "TK290P65Y,RQ" -Einziper.

TK290A65Y,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

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