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4127618TK31J60W,S1VQ-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

TK31J60W,S1VQ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TK31J60W,S1VQ
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TK31J60W,S1VQ.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.7V @ 1.5mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-3P(N)
  • Serie
    DTMOSIV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    88 mOhm @ 15.4A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    230W (Tc)
  • Verpackung
    Tube
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Andere Namen
    TK31J60W,S1VQ(O
    TK31J60WS1VQ
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3000pF @ 300V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    Super Junction
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    600V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    30.8A (Ta)

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Das Folgende sind "TK31J60W,S1VQ" -Einziper.
TK31A60W,S4VX

TK31A60W,S4VX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK30E06N1,S1X

TK30E06N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 43A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK31V60X,LQ

TK31V60X,LQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK30A06N1,S4X

TK30A06N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK3

TK3

Beschreibung: TERMINAL KIT P184 10EA T49

Hersteller: Vector Electronics & Technology, Inc.
vorrätig
RFQ
TK33S10N1Z,LQ

TK33S10N1Z,LQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 33A DPAK

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK31E60W,S1VX

TK31E60W,S1VX

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK31N60W5,S1VF

TK31N60W5,S1VF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK34A10N1,S4X

TK34A10N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK30S06K3L(T6L1,NQ

TK30S06K3L(T6L1,NQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK-3

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK31E60X,S1X

TK31E60X,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK31N60W,S1VF

TK31N60W,S1VF

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5,LVQ

Beschreibung: MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK31J60W5,S1VQ

TK31J60W5,S1VQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK32A12N1,S4X

TK32A12N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK3434

TK3434

Beschreibung: HOME TAPE KIT - PREMIUM

Hersteller: 3M
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TK31N60X,S1F

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Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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