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TK33S10N1Z,LQ

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TK33S10N1Z,LQ
  • Hersteller / Marke
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    TK33S10N1Z,LQ.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 500µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    DPAK+
  • Serie
    U-MOSVIII-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.7 mOhm @ 16.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    125W (Tc)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Andere Namen
    TK33S10N1ZLQCT
  • Betriebstemperatur
    175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2050pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    100V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 100V 33A (Ta) 125W (Tc) Surface Mount DPAK+
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    33A (Ta)

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Das Folgende sind "TK33S10N1Z,LQ" -Einziper.
TK35A65W,S5X

TK35A65W,S5X

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK31J60W,S1VQ

TK31J60W,S1VQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK31V60W5,LVQ

TK31V60W5,LVQ

Beschreibung: MOSFET N -CH 600V 30.8A DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK34E10N1,S1X

TK34E10N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK34A10N1,S4X

TK34A10N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 34A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK31J60W5,S1VQ

TK31J60W5,S1VQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK32E12N1,S1X

TK32E12N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK35N65W5,S1F

TK35N65W5,S1F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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TK31N60W,S1VF

TK31N60W,S1VF

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 30.8A TO247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK31N60W5,S1VF

TK31N60W5,S1VF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q)

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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RFQ
TK35E08N1,S1X

TK35E08N1,S1X

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 55A TO-220

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
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TK31V60W,LVQ

TK31V60W,LVQ

Beschreibung: MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
TK31N60X,S1F

TK31N60X,S1F

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-247

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
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TK3434

TK3434

Beschreibung: HOME TAPE KIT - PREMIUM

Hersteller: 3M
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TK35A65W5,S5X

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Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO220SIS

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TK35N65W,S1F

TK35N65W,S1F

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

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Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 35A TO-220

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TK32A12N1,S4X

TK32A12N1,S4X

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

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TK31V60X,LQ

TK31V60X,LQ

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A 5DFN

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